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掩模對(duì)準(zhǔn)光刻機(jī)系統(tǒng)，這是一個(gè)全新的、已經(jīng)被生產(chǎn)廠家驗(yàn)證過(guò)的新型光刻曝光機(jī)以及晶圓對(duì)晶圓（W2W）接合曝光和測(cè)試系統(tǒng)，可滿(mǎn)足用戶(hù)對(duì)更高光刻精度的需求。業(yè)內(nèi)向更小結(jié)構(gòu)和更密集封裝生產(chǎn)轉(zhuǎn)型的趨勢(shì)帶來(lái)了眾多的新挑戰(zhàn)，如對(duì)更高精度的要求，因?yàn)檫@將嚴(yán)重影響設(shè)備的偏差律，并最終影響生產(chǎn)效率和增加成本。掩模對(duì)準(zhǔn)光刻機(jī)系統(tǒng)可較大提高對(duì)準(zhǔn)精度-范圍從1微米至0.1微米-從而為生產(chǎn)廠家在先進(jìn)微電子、化和物半導(dǎo)體、硅基電功率、三維集成電路和納米等幾乎所有相關(guān)產(chǎn)業(yè)提供了解決方案。新一代掩模對(duì)準(zhǔn)光刻機(jī)系...

發(fā)光二極管照明是利用半導(dǎo)體的電致發(fā)光發(fā)展而來(lái)的固態(tài)照明技術(shù)。自1907年第一只發(fā)光二極管問(wèn)世，到20世紀(jì)90年代，人們對(duì)LED的研究進(jìn)展緩慢，期間使用GaAs和InP等第二代半導(dǎo)體材料為光源的LED僅應(yīng)用在光電探測(cè)及顯示領(lǐng)域。直到20世紀(jì)90年代中期，日本的中村修二發(fā)明了第一只超高亮度的GaN基LED，照明領(lǐng)域的大門(mén)才向LED打開(kāi)。GaN作為繼第一代半導(dǎo)體材料Si，Ge和第二代半導(dǎo)體材料GaAs，InP等之后的第三代半導(dǎo)體材料，因其出色的光電性能獲得了關(guān)注和研究熱度。GaN是...

晶圓鍵合自動(dòng)系統(tǒng)能接受4個(gè)以上的鍵合腔體，可配置整個(gè)的晶圓鍵合過(guò)程，包括陽(yáng)極鍵合、熱壓鍵合、低溫等離子體鍵合以及尺寸達(dá)300毫米的晶圓鍵合。自動(dòng)晶圓黏著鍵合技術(shù)確保堆疊式設(shè)備實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)。晶圓鍵合自動(dòng)系統(tǒng)是一種重要的加工技術(shù)，它使用一個(gè)中間層（典型的聚合體）來(lái)粘接兩個(gè)基層，被廣泛地運(yùn)用在先進(jìn)封裝中。該方法的主要優(yōu)勢(shì)在于實(shí)現(xiàn)低溫加工、使材料表面平整化和提高晶圓形貌的耐久性。在CMOS圖像傳感器的應(yīng)用方面，晶圓黏著鍵合技術(shù)會(huì)在圖像傳感器材料表面和晶圓的玻璃蓋片之間設(shè)置一層保護(hù)屏障。在...

近半個(gè)世紀(jì)以來(lái)，硅一直是世界科技繁榮的重點(diǎn)，芯片制造商幾乎都在壓榨它的生命。傳統(tǒng)上用于制造芯片的技術(shù)在2005年左右達(dá)到了極限。那時(shí)，芯片制造商將不得不尋求其它技術(shù)，將更多的晶體管塞到硅板上，而光刻機(jī)的出現(xiàn)很好幫助了芯片制造商解決這一煩惱，從而制造出更強(qiáng)大的芯片。下面就來(lái)詳細(xì)了解一下！光刻機(jī)必須把工程師繪制的電路板精確無(wú)誤的投到硅晶圓上，不允許有絲毫誤差，可見(jiàn)難度之高！將晶體管封裝到芯片上的傳統(tǒng)工藝被稱(chēng)為“深紫外光刻”（DUV），這是一種類(lèi)似攝影技術(shù)的技術(shù)，通過(guò)透鏡聚焦光線，...

紅外測(cè)厚儀對(duì)水含量、涂布量、薄膜和熱熔膠的厚度有著十分重要的意義，它擔(dān)負(fù)著傳遞目標(biāo)信息的作用，直接影響檢測(cè)水含量、涂布量、薄膜和熱熔膠等厚度的準(zhǔn)確度。今天，給大家講一下紅外測(cè)厚儀是怎么工作的？可應(yīng)用在哪些地方？一、典型應(yīng)用：測(cè)量水含量、涂布量、薄膜和熱熔膠的厚度。應(yīng)用在涂膠工序時(shí)，該設(shè)備可放置于涂膠池后、烘箱前，在線測(cè)量涂膠的厚度；應(yīng)用在造紙工序時(shí)，該設(shè)備可放置在烘箱后，在線測(cè)量干紙張的水含量。二、測(cè)量原理：利用紅外光穿透物質(zhì)時(shí)的吸收、反射、散射等效應(yīng)實(shí)現(xiàn)非接觸式測(cè)量薄膜類(lèi)材...